IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH88N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQDH88N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | 333 W |
| Paket | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: TJ max] |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | — | 42 A |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | — | 447 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 0.86 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Series | — | OptiMOS 5 |