IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5SCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5SCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
تبديد القدرة (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
العلبة PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (source-down, dual-side cooling)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IQDH88N06LM5SCATMA1
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 447 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.7 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11 nF
Output Capacitance (Coss) — 2 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 95 pF
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر