IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE022N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| عدد الأطراف | 9 (PG-WHTFN-9) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |