IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE022N06LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE050N08NM5CGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| מארז | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| מספר פינים | 9 (PG-WHTFN-9) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |