IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
العلبة PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3 V
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] 90 nC
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (typical MOSFET range) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر