IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH84NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | 52 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-TTFN-9-3 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 406 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (typical MOSFET range) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |