IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH84NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-FET, 275A | Infineon

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 7 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A 52 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 107 W —
RDS(on) @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) PG-TTFN-9-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Switching Application Hard- and soft-switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (typical MOSFET range)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin