IR2101STRPBF vs IR2181SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2101STRPBF بواسطة Infineon و IR2181SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IR2101STRPBF | IR2181SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Configuration | Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent | — |
| Number of Drivers | 2 | — |
| Driver Type | Non-Inverting | — |
| Maximum Offset Voltage | 600 V | — |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Source Current (Typ.) | 210 mA | — |
| Sink Current (Typ.) | 360 mA | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 160 ns | — |
| Rise Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL | 3.3 V, 5 V, and 15 V logic |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| Negative Transient Immunity on VS | Yes (dV/dt immune) | — |
| العلبة | 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) | 8-pin SOIC (SO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| مستوى MSL | MSL 3 | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge (High Side + Low Side) |
| عدد المخارج | — | 2 (independent high-side and low-side) |
| High-Side Offset Voltage | — | Up to +600 V |
| Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) | — | 10 V to 20 V |
| Logic Supply (VDD/VSS) | — | 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) |
| Source/Sink Drive Current | — | 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) |
| Propagation Delay (typ.) | — | 140 ns (typical) |
| UVLO | — | Yes (both channels) |
| dV/dt Immunity | — | Yes (latch-immune CMOS) |
| Negative Transient on VS | — | Tolerant |