IR2109SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109SPBF بواسطة Infineon و 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IR2109SPBF 2ED2304S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمن الصعود 200 ns —
زمن السقوط 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة SOIC-8 PG-DSO-8-910 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر