IR2109SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2109SPBF द्वारा Infineon और 2ED2304S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2109SPBF 2ED2304S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
राइज़ टाइम 200 ns —
फॉल टाइम 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40 C to +150 C —
पैकेज SOIC-8 PG-DSO-8-910 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +125C
MSL स्तर — 2

डेटाशीट और संसाधन

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