IR2109SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109SPBF بواسطة Infineon و 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IR2109SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمن الصعود 200 ns —
زمن السقوط 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة SOIC-8 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
تكوين الخرج — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر