IR2109SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IR2109SPBF bằng Infineon và 2EDL5013U2DXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Hoạt động
Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IR2109SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Configuration Half-Bridge High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Thời gian tăng lên 200 ns —
Thời gian giảm dần 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40 C to +150 C —
Hộp SOIC-8 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Cấu hình đầu ra — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá