IR2109SPBF vs IR2153PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2109SPBF بواسطة Infineon و IR2153PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2109SPBF IR2153PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمن الصعود 200 ns —
زمن السقوط 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) Increased threshold (per datasheet)
Bootstrap Diode Integrated —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة SOIC-8 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
نوع التركيب Surface Mount Through-Hole
حالة RoHS Compliant Pb-Free, RoHS compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية — Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر