IR2109SPBF vs IR2153PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2109SPBF von Infineon und IR2153PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2109SPBF IR2153PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,45
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Anstiegszeit 200 ns —
Abfallzeit 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) Increased threshold (per datasheet)
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse SOIC-8 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Montageart Surface Mount Through-Hole
RoHS-Status Compliant Pb-Free, RoHS compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
Betriebstemperatur — -40C to +125C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern