IR2109SPBF vs IR2153PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2109SPBF tarafından Infineon ve IR2153PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2109SPBF IR2153PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Artış Süresi 200 ns —
Düşüş Süresi 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) Increased threshold (per datasheet)
Bootstrap Diode Integrated —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +150 C —
Paket SOIC-8 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Montaj Türü Surface Mount Through-Hole
RoHS Durumu Compliant Pb-Free, RoHS compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Ağ Yapısı — Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin