IR2109SPBF vs IR2153PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2109SPBF par Infineon et IR2153PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2109SPBF IR2153PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,45
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Temps de montée 200 ns —
Temps de descente 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) Increased threshold (per datasheet)
Bootstrap Diode Integrated —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier SOIC-8 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Type de montage Surface Mount Through-Hole
Statut RoHS Compliant Pb-Free, RoHS compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
Température de fonctionnement — -40C to +125C

Fiches techniques et ressources

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