IR2109SPBF vs IR2153PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon e IR2153PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2109SPBF IR2153PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,45
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Tempo de subida 200 ns —
Tempo de descida 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) Increased threshold (per datasheet)
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de junção de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento SOIC-8 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Through-Hole
Status RoHS Compliant Pb-Free, RoHS compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologia — Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
Temperatura de operação — -40C to +125C

Fichas técnicas e recursos

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