IR2110SPBF vs IR2010SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2110SPBF بواسطة Infineon و IR2010SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2110SPBF IR2010SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver —
البنية الطوبولوجية High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (SOIC-16)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Number of Drivers — 2 (independent high/low-side outputs)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
درجة حرارة التشغيل — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر