IR2110SPBF vs IR2010SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2110SPBF מאת Infineon ו IR2010SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2110SPBF IR2010SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-bridge gate driver —
טופולוגיה High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (SOIC-16)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Number of Drivers — 2 (independent high/low-side outputs)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
טמפרטורת פעולה — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר