IR2110SPBF vs IRS2110STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2110SPBF بواسطة Infineon و IRS2110STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2110SPBF IRS2110STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver —
البنية الطوبولوجية High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
عدد المخارج — 2
نوع الخرج — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Shutdown Input — Active-low, forces both outputs low
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
مستوى MSL — 3 (168 hours)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر