IR2110SPBF vs IRS2110STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2110SPBF tarafından Infineon ve IRS2110STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2110SPBF IRS2110STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Half-bridge gate driver —
Ağ Yapısı High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Çıkış Sayısı — 2
Çıkış Türü — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Shutdown Input — Active-low, forces both outputs low
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +150 C
MSL Seviyesi — 3 (168 hours)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin