IR2110SPBF vs IRS2110STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2110SPBF מאת Infineon ו IRS2110STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2110STRPBF IRS2110STRPBF - 500V High/Low-Side Gate Driver | Infineon

IRS2110STRPBF - 500V High/Low-Side Gate Driver | Infineon

IRS2110STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2110SPBF IRS2110STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-bridge gate driver —
טופולוגיה High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
מספר יציאות — 2
סוג פלט — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Shutdown Input — Active-low, forces both outputs low
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
רמת MSL — 3 (168 hours)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר