IR2110SPBF vs IRS21814MTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2110SPBF بواسطة Infineon و IRS21814MTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2110SPBF IRS21814MTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver —
البنية الطوبولوجية High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Configuration — High and Low Side, Independent
Driver Channels — 2 (half-bridge)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (bootstrap)
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Peak Source Current (typ.) — 1.9 A
Peak Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 180 ns
Delay Matching (HS to LS) — [DATA_NEEDED: HS-LS delay matching spec]
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
dV/dt Immunity — Yes (negative-transient tolerant)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر