IR2117STRPBF vs IR2117SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2117STRPBF بواسطة Infineon و IR2117SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2117STRPBF IR2117SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side Single Channel Single high-side driver
الوظيفة Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
عدد المخارج 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
زمن الصعود 80 ns (typ) —
زمن السقوط 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة / الحالة 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
مستوى MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
العلبة — 8-SOIC (SOIC-8)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر