IR2117STRPBF vs IR2117SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2117STRPBF מאת Infineon ו IR2117SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2117STRPBF IR2117SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side Single Channel Single high-side driver
פונקציה Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
מספר יציאות 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
זמן עלייה 80 ns (typ) —
זמן ירידה 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז / Case 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
מארז — 8-SOIC (SOIC-8)
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר