IR21271STRPBF vs IR21271SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271STRPBF بواسطة Infineon و IR21271SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271STRPBF IR21271SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side or Low-Side High-side, low-side capable (floating channel)
عدد المخارج 1 —
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: fall time] —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C (industrial)
حالة RoHS — Compliant
Number of Channels — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر