IR21271STRPBF vs IR21271SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21271STRPBF מאת Infineon ו IR21271SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21271STRPBF IR21271SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side or Low-Side High-side, low-side capable (floating channel)
מספר יציאות 1 —
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
זמן עלייה [DATA_NEEDED: rise time] —
זמן ירידה [DATA_NEEDED: fall time] —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Single-channel high-side gate driver with current sensing
Technology — HVIC and latch-immune CMOS
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Output Source Current — 0.25 A
Output Sink Current — 0.5 A
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (per related IR2127 datasheet family)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type — Non-inverting
Negative Transient Tolerance (dV/dt) — Tolerant
Bootstrap Operation — Supported (floating channel)
Integrated Current Sensing — Yes
Lead Finish — Lead-free (PbF)
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C (industrial)
סטטוס RoHS — Compliant
Number of Channels — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר