IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21531STRPBF بواسطة Infineon و IR21271STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21531STRPBF IR21271STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
عدد المخارج 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمن الصعود 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
زمن السقوط 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر