IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21531STRPBF מאת Infineon ו IR21271STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21531STRPBF IR21271STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
מספר יציאות 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
זמן עלייה 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
זמן ירידה 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר