IR2304SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF 2ED2304S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
عدد المخارج 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels Yes (VCC and VB-VS)
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic Infineon thin-film SOI
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Bootstrap Diode — Integrated (BSD)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
مستوى MSL — 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر