IR2304SPBF vs IR2101PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و IR2101PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF IR2101PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High and Low Side)
عدد المخارج 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
نوع التركيب Surface Mount Through-Hole
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tube

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر