IR2304SPBF vs IR2101PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2304SPBF מאת Infineon ו IR2101PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2304SPBF IR2101PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High and Low Side)
מספר יציאות 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
מארז 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Through-Hole
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tube

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר