IR2304SPBF vs IR2109STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و IR2109STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF IR2109STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
عدد المخارج 2 2 (High-Side / Low-Side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-SOIC (3.90 mm Width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Bootstrap Diode — Integrated
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر