IR2304SPBF vs IR2109STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2304SPBF מאת Infineon ו IR2109STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2304SPBF IR2109STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
מספר יציאות 2 2 (High-Side / Low-Side)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
מארז 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-SOIC (3.90 mm Width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Bootstrap Diode — Integrated
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר