IRF150P220AKMA1 vs IRFR4615TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon و IRFR4615TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF150P220AKMA1 | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRF150P220AKMA1 | — |
| Technology | StrongIRFET | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 203 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 556 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-247-3 (PG-TO247-3) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Terminal Finish | Tin (Sn) | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | — | 109 mJ |