IRF150P220AKMA1 vs IRFR4615TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF150P220AKMA1 tarafından Infineon ve IRFR4615TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF150P220AKMA1 IRFR4615TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRF150P220AKMA1 —
Technology StrongIRFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-247-3 (PG-TO247-3) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — 109 mJ

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin