IRF5305STRLPBF vs IRF5305STRRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF5305STRLPBF بواسطة Infineon و IRF5305STRRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF5305STRLPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 60 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) | — |
| Maximum Power Dissition at Tc | 110 W | — |
| Maximum Power Dissipation at TA | 3.8 W | — |
| العلبة | TO-263 / D2PAK (surface mount) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Technology | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET | HEXFET (Advanced Process) |
| Packaging | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix PBF) | Yes (Pb-free suffix) |
| نوع الترانزستور | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Polarity | — | P-Channel |