IRF5305STRLPBF vs IRF5305STRRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF5305STRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF5305STRRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF5305STRLPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 60 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) | — |
| Maximum Power Dissition at Tc | 110 W | — |
| Maximum Power Dissipation at TA | 3.8 W | — |
| প্যাকেজ | TO-263 / D2PAK (surface mount) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Technology | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET | HEXFET (Advanced Process) |
| Packaging | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix PBF) | Yes (Pb-free suffix) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| Polarity | — | P-Channel |