IRF5305STRLPBF vs IRF5305STRRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF5305STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF5305STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF5305STRLPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 60 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) | — |
| Maximum Power Dissition at Tc | 110 W | — |
| Maximum Power Dissipation at TA | 3.8 W | — |
| پیکیج | TO-263 / D2PAK (surface mount) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Technology | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET | HEXFET (Advanced Process) |
| Packaging | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix PBF) | Yes (Pb-free suffix) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Polarity | — | P-Channel |