IRF7313TRPBF vs IRF7907TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7313TRPBF بواسطة Infineon و IRF7907TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7313TRPBF | IRF7907TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7313TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) | IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) |
| Transistor Configuration | Dual N-Channel (Independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 6.5 A per channel | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 29 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) max | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±V rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (typical range) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| العلبة | 8-pin SOIC (SO-8) surface mount | 8-SOIC (SO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / Pbf | Yes (lead-free plating) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Qualification Standard | Consumer market (per IR datasheet) | — |
| Shipping Media | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 9.1 A per channel at 25 C |
| Pulsed Drain Current (IDM) Max | — | 11 A |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 11.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V (typ) |
| Total Power Dissipation (PD) Max | — | 2 W |
| Lead-Free Status | — | Yes (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Channel Polarity | — | N-Channel (both) |