IRF7313TRPBF vs IRF7907TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7313TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7907TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7313TRPBF IRF7907TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench)
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
پیکیج 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SOIC (SO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
MSL لیول 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 9.1 A per channel at 25 C
Pulsed Drain Current (IDM) Max — 11 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 11.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V (typ)
Total Power Dissipation (PD) Max — 2 W
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Channel Polarity — N-Channel (both)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں