IRF7319TRPBF vs IRF7205TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7319TRPBF بواسطة Infineon و IRF7205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7319TRPBF IRF7205TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR HEXFET (4th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR suffix)
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
تبديد القدرة (TC=25°C) — 2.5 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
العلبة — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر