IRF7319TRPBF vs IRF7205TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7319TRPBF توسط Infineon و IRF7205TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7319TRPBF IRF7205TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Type Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR HEXFET (4th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) 6.5 A —
Continuous Drain Current P-channel (ID) 4.9 A —
RDS(on) Max N-channel 29 mOhm (per Infineon product page) —
RDS(on) Max P-channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch 120 C/W (steady state) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch 110 C/W (steady state) —
Package Type 8-SOIC (SO-8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = Pb-free) —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR suffix)
Configuration N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
اتلاف توان (TC=25°C) — 2.5 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت