IRF7469TRPBF vs IPB024N10N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7469TRPBF بواسطة Infineon و IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7469TRPBF | IPB024N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C (Tj) | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | 8-SO (SOIC-8) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes (per Infineon product family policy) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Input Capacitance Ciss | — | [DATA_NEEDED: Ciss value] |
| Output Capacitance Coss | — | [DATA_NEEDED: Coss value] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: Qrr value] |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |