IRF7469TRPBF vs IPB024N10N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7469TRPBF بذریعہ Infineon اور IPB024N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7469TRPBF IPB024N10N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C (junction)
پیکیج 8-SO (SOIC-8) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes Yes (per Infineon product family policy)
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں