IRF7469TRPBF vs IPB024N10N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7469TRPBF מאת Infineon ו IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7469TRPBF IPB024N10N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C (junction)
מארז 8-SO (SOIC-8) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes Yes (per Infineon product family policy)
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר