IRF7469TRPBF vs IRFH5020TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7469TRPBF بواسطة Infineon و IRFH5020TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7469TRPBF IRFH5020TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (Tj) -55 °C to +150 °C (TJ max)
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (per industry standard for PQFN-8)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 63 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر