IRF8736TRPBF vs IRFR5305TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF8736TRPBF بواسطة Infineon و IRFR5305TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF8736TRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET / HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 4.8 mOhm at VGS = 10V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 17 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | -2 V to -4 V |
| العلبة | SO-8 (8-SO, MS-012AA) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (fully characterized avalanche voltage) | — |
| Configuration | Single | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| حالة RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |