IRFB4110PBF vs IPP022N12NM6AKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4110PBF بواسطة Infineon و IPP022N12NM6AKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFB4110PBF | IPP022N12NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $1.55 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | 395 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 29 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 203 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.2 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |