IRFB4110PBF vs IPP022N12NM6AKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور IPP022N12NM6AKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4110PBF | IPP022N12NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $1.55 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | 395 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 29 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 203 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.2 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |